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测试能力

万象城游戏手机版IGBT、MOS、FRD动态参数测试


   IGBT/MOS:

   tdon, tr, tdoff, tf, Eon, Eoff;


 测试条件:

   VCE/VDS:1000V

   ICE/IDS:150A


   FRD

   trr, Irr, Qr, Erec;


  测试条件:

   Vr:1000V

   IF:100A

   di/dt:100~2000A/μs

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大功率万象城wxc网站器件IGBT、MOS、FRD动态参数测试


  IGBT/MOS:

   tdon, tr, tdoff, tf, Eon, Eoff;


 测试条件:

   VCE/VDS:2000V

   ICE/IDS:4000A


 FRD: 

   trr, Irr, Qr, Erec;


 测试条件:

   Vr:2000V

   IF:4000A

   di/dt:1000~20000A/μs

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大功率万象城wxc网站IGBT短路安全工作区测试


 IGBT SCSOA


 测试条件:


   VCC:2000V

   ISC:10000A

   tSC:3~100μs

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高温反偏老化测试


 符合标准:MIL-STD-750D、GJB128、JEDEC等标准。


适用范围:

  适用于各种封装形式的二极管(GPP/SKY)、三极管、场效应管、

可控硅、IGBT等器件进行高温反偏试验(HTRB)和高温漏流测试试验(HTIR)。


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IGTB/MOS功率循环老化测试


 符合标准:

   MIL-STD-750D、GJB128、JEDEC等试验标准。


 适用范围:

   适用于各种封装形式的大功率IGBT、MOS管功率循环寿命试验。


 技术特点:

   ①  试验电流ICE / IDS设定。

   ②  每个试验通道的风散热风道、ON/OFF控制系统都完全独立。

   ③  监控样管的管壳温度TC。

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